力積電攜手美光衝刺先進DRAM，1P製程拚2028年量產；力積電遭外資賣超第一

**快訊重點**
力積電（6770）今日在法說會宣布，將與美光合作開發1P製程，預計2028年上半年完成試產並進入量產。此舉旨在提升單晶圓記憶體顆粒數達2.5倍，顯著提升產能與營收。與此同時，外資於台股大幅賣超力積電，股價在昨日交易日從高點59.1元下跌逾7%，收於52.9元，顯示市場對短期風險的高度關注。

**核心分析**
1P製程屬於先進製程，其技術突破將為力積電在高階DRAM市場奠定競爭優勢。公司同步擴建新竹廠區的無塵室，並於2026年第三季啟動高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓製造（PWF）產線，計畫於2027年第四季進入量產，月產能預估達2萬片，積極布局 AI 記憶體供應鏈。全球記憶體供給短缺預計持續至2026年下半年，力積電已於今年3月調升DRAM代工價格，4月亦提昇 NAND Flash 投片報價，預期6月起將對營收與獲利產生正面效應。除SLC產品外，公司亦與客戶合作開發MLC製程，預計今年底完成開發，為未來產品組合注入多樣化。

**市場觀點**
網友與機構投資人普遍認為，AI需求持續升溫將支撐記憶體市場的長期動能。雖然短期股價波動顯著，外資賣超被部分投資者視為獲利了結訊號，但多數法人仍看好力積電在先進製程與HBM布局上的戰略前景。市場觀測指出，供應緊缺與價格上行趨勢有望為公司基本面帶來持續支撐，未來仍值得關注其技術推進與營收表現。