長鑫G5量產 產能提升逾50% 直挑三星、SK海力士

**快訊重點**
大陸記憶體龍頭長鑫科技今日宣布，基於第5代（G5）技術平台的晶圓已正式量產，單片晶圓產能較上一代提升逾50%。同時，24Gb LPDDR5X產品已進入規模量產階段，並即將投放至大陸主流旗艦手機市場，顯示長鑫正逐步縮小與三星電子、SK海力士及美光科技等全球主要記憶體業者的技術差距。

**核心分析**
長鑫G5平台採用11.95奈米微縮工藝，將記憶體陣列的半間距縮至11.95奈米，電容深寬比達45：1，核心動能區高度降低至6.762奈米，極大提升存儲密度。於相同條件下，單片晶圓的裸片產出數量提升至少50%，同時帶來更佳能效與成本效益。公司表示，透過電腦模擬技術及與本土晶片設備業者的關鍵環節合作，已成功完成G5技術平台的開發，副總裁駱曉東亦指出，長鑫的工藝能力已與業界最先進的量產節點相當。

**市場觀點**
網友與業界分析師普遍對長鑫G5的技術突破表示驚訝，認為此舉將對中國半導體自主供應鏈產生積極影響。部分投資人則視此為長期成長的信號，期待公司在未來數年內逐步擴大產能佔有率。與此同時，也有聲音提醒投資者勿因近期產能提升而盲目追高，應持續關注成本控制與供應鏈穩定性。

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