** 長鑫科技將突破4F2 DDR5 RDIMM，年底掀起伺服器記憶體新革命 **

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**快訊重點**
中國記憶體製造商長鑫科技（688825-CN）宣布，其核心子公司長鑫存儲將於年底推出採用4F2架構的DDR5 RDIMM伺服器記憶體。此舉標誌公司從傳統6F2向更高密度、更低功耗的3D架構邁進，預計將顛覆目前由海外廠商主導的伺服器記憶體市場。

**核心分析**
長鑫存儲首度將4F2技術應用於DDR5 RDIMM，其關鍵創新為垂直環繞閘極（VSG）電晶體結構。VSG提升閘極控制力、降低漏電及短通道效應，同時因垂直佈局縮小電晶體面積，進一步提高記憶體單元密度。相較於主流6F2架構，4F2可在相同晶圓面積內容納更多存儲單元，且借助晶圓級混合鍵合技術，可同時最適化邏輯與記憶體效能。長鑫已在此領域擁有逾300項公開專利，處於業界領先位置。

在伺服器記憶體方面，長鑫存儲過去以消費性電子為主，進入伺服器市場後亦已見成效。上半年，伺服器相關產品營收貢獻顯著提升，顯示公司在高可靠性長時間運行需求上的技術累積正在取得市場回報。結合即將上市的4F2 DDR5 RDIMM，長鑫有望在價格與性能雙重優勢下，挑戰國際龍頭的市場佔有率。

同時，長鑫科技亦在LPDDR6與第五代DRAM平台（G5）上取得量產突破。LPDDR6成為業界較早量產的低功耗記憶體，而G5的製程水平已接近全球頂尖。根據Counterpoint數據，長鑫科技2026年第二季全球DRAM營收占比達7%，排名第四，顯示其技術與營運策略均具備競爭力。

**市場觀點**
在技術論壇及投資人簡報中，長鑫總經理趙綸表示，隨著4F2產品的即將問世，企業將進一步加速將新技術投入伺服器記憶體領域，突破既有市場格局。投資界普遍看好長鑫在高密度3D架構上的創新能力，認為其在伺服器記憶體市場的佈局將為未來營收增長提供新動能。業界觀察人士指出，若長鑫能在年底前完成量產並迅速擴產，或將在全球伺服器記憶體市場中掀起一股“成本＋效能”雙重競爭，促使價格進一步走低。

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長鑫科技以技術創新為核心，正逐步從消費性電子擴張至伺服器記憶體領域，年底的4F2 DDR5 RDIMM或將成為改變市場格局的關鍵產品。