** 長鑫科技年底推4F2 DDR5 RDIMM 斬擊伺服器記憶體市場，全球市占率突破七成 **

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**快訊重點**
中國記憶體製造商長鑫科技（688825-CN）已宣布，將於年底推出採用4F2架構的DDR5 RDIMM伺服器記憶體。此次產品將結合垂直環繞閘極（VSG）電晶體技術，進一步縮小單位面積、提升儲存密度，預期將突破現行6F2架構的瓶頸，為伺服器記憶體市場帶來新一輪的技術升級。長鑫存儲已在此領域累積超過300件專利，顯示其在4F2技術上處於業界領先位置。

**核心分析**
4F2架構將傳統的2D電晶體佈局轉向3D結構，透過將DRAM與CMOS製程分離並採用晶圓級混合鍵合技術，能夠在保持邏輯電路效能的同時，顯著提升記憶體單元的儲存密度。長鑫存儲於近期亦完成LPDDR6低功耗記憶體量產以及第五代DRAM技術平台（G5）的量產，製程水準已逼近全球頂尖。根據Counterpoint的數據，長鑫科技在2026年第二季的全球DRAM營收占比達7%，排名全球第四，顯示其在伺服器及消費性電子雙領域的營收貢獻正在加速提升。

**市場觀點**
從市場反饋看，網友普遍期待長鑫能將記憶體價格降至更具競爭力的水平，並呼籲提升產能以滿足全球需求。法人的觀點則較為肯定，許多分析師指出長鑫的4F2技術及先進製程將為其在伺服器記憶體領域帶來更高的市場佔有率。若年底的產品能如預期順利量產，長鑫將有望在面臨海外競爭者壓力的同時，鞏固並擴大其在全球伺服器記憶體市場的份額。