** 三星預測明年HBM將佔DRAM產能近30%——供應壓力或促使高階記憶體升值 **

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**快訊重點**
三星電子執行副總裁Kim Taewoo於9月29日透露，明年高帶寬記憶體（HBM）將占全球DRAM晶圓總產能近30%，較目前的20%大幅提升。此舉預示AI伺服器需求持續推動HBM產量擴張，進一步挤壓傳統DRAM供應。市場研究機構TrendForce亦同日上調2027年HBM平均售價預期，預計將上漲121%。

**核心分析**
HBM與傳統DRAM共享先進製程晶圓，三星已於今年2月量產出貨HBM4，並於5月將12層HBM4E樣品供應給NVIDIA等客戶。隨著AI伺服器需求不斷擴大，HBM需求上升將使得先進製程晶圓供應更為緊張。TrendForce預估，2027年HBM供應仍將偏緊；高價HBM4比重提升以及HBM4E在下半年逐步放量，將進一步推高混合平均售價。另一方面，單顆晶片的HBM搭載容量受到成本壓力影響，GPU及ASIC廠商可能更傾向於採用單個8層堆棧，因其單位成本較低。雖然8層HBM每Gb售價比12層高約10%至20%，但整體成本仍有優勢。

**市場觀點**
網友與業界分析師普遍認為，HBM持續吃緊先進產能將加強記憶體供需格局與議價力。三星因高階產品占比提升，預計可受惠於此趨勢，提升整體獲利表現。另一方面，傳統DRAM供應受壓，可能使其價格走高，進一步推動企業在高階記憶體上的投資決策。

**參考連結**
[https://cnyes.com/bit.ly/3uX4KpQ](https://cnyes.com/bit.ly/3uX4KpQ)