** 長鑫存儲G5平台量產！高達50%存儲密度提升，或成高端手機龍頭新選擇 **

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【快訊重點】
9月20日，長鑫存儲在世界製造業大會上正式宣布第五代 DRAM 技術平台「G5」已進入量產階段，同時展示兩款基於該平台的 24 GB LPDDR5X 芯片，封裝規格分別為 496Ball 與 245Ball，已落地規模量產。G5 平台以 11.95 nm 半間距微縮為核心，存儲密度較上一代提升 50% 以上，工藝水平已逼近全球頂尖製程。

【核心分析】
長鑫存儲採用四重曝光技術及新型高介電常數金屬柵 (HKMG) 工藝，將有源區半間距縮小至 11.95 nm，存儲電容深寬比達 45:1，核心功能區高度縮小至 6.762 µm。此舉不僅提升了存儲密度，更顯示出公司在先進製程上的技術積累。隨著 LPDDR5X 24 GB 產品進入量產，長鑫存儲將能滿足中高端智慧型手機、便攜式消費電子等對高容量、高頻寬的需求，預計可為公司帶來顯著營收增長。相較於三星、SK 海力士等龍頭廠商，儘管單價略高，但高端市場對於性能的溢價需求仍具備良好空間。

【市場觀點】
網友普遍認為，四重曝光技術雖能顯著提升密度，但對良率與產量的挑戰仍需觀察，部分評論指出成本偏高可能影響價格競爭力。另一方面，專家指出若長鑫能維持穩定供應，G5 平台有望補足現行市場對高容量 DRAM 的短缺。法人分析師則指出，儘管短期內面臨產量與成本壓力，但長期來看，G5 平台的技術突破將為公司在高端手機與消費電子領域奠定競爭優勢。

長鑫存儲此次量產成為業界關注焦點，市場將持續關注其產量表現及對行業供應鏈的衝擊。

（來源：香港商業雜誌，2026 年 9 月 20 日）