AI熱潮降溫！HBM擴產「降溫」，DRAM、NAND成新利好

【快訊重點】
美銀美林最新報告指出，隨著 AI 需求波動，主要記憶體廠商已把原本規劃投入高頻寬記憶體（HBM）的資本重新導向傳統 DRAM 與 NAND 產能。報告稱，HBM4 訂單增速放緩，而 DRAM（尤其 LPDDR5）與 NAND 的毛利率與價格均處於歷史高位，吸引廠商重回「傳統供給短缺」的投資邏輯。

【核心分析】
1. **價格驅動**：2026 年 4 月，16Gb DDR5 現貨價約 38.5 美元，DDR4 63.9 美元，合約價格已升至歷史新高。NAND 也同步保持高檔，預估 2 季合約價將逼近 30 美元。
2. **營收優勢**：DRAM 的毛利率已顯著超越 HBM，投資效益更具吸引力。
3. **技術轉變**：KV 快取記憶體等 NAND 方案快速滲透 AI 推理場景，減少對 HBM 的需求。
4. **供應鏈策略**：廠商放棄長期供貨協議（LTA），改採季度議價，保留價格上漲帶來的超額利潤。
5. **產能增長限制**：即使 2028 年前韓美新建晶圓廠，因先進製程風險高與設備投入審慎，月新增產能預估僅 5‑6 萬片晶圓，年增幅仍維持個位數，難以緩解供需缺口。

【市場觀點】
網友普遍對 HBM 轉向表示驚訝，認為「DRAM 太賺了，做 HBM 卻賺不如 DRAM，這有點詭異」。多位投資者指出，記憶體廠為維持漲價空間，已放棄長期合約，改以短期議價。市場預期，四月財報季將充分體現記憶體族群的 EPS 風力，進一步確認 DRAM/NAND 的高利潤定位。

相關資訊詳見美銀報告全文：https://bit.ly/3kXyZ