AI浪潮推升記憶體需求 華邦電擴產提前至2030

**快訊重點**
在 AI 與先進封裝需求持續擴張的背景下，華邦電（股票代號 2344）已提前啟動高雄路竹廠擴產計畫。公司將原先的二、三期整併為「Module B」同步開發，預計 2027 年動工興建無塵室，最快 2029 年起正式裝機。此舉旨在把握 AI 產業長期需求，將 2030 年前的產能提升作為長遠戰略。

**核心分析**
第三季合併營收 598.43 億元，季增 56.4%（年增 184.7%），其中 DRAM 價格季增約 100%，Flash 亦上漲 43%。合併毛利率升至 66.2%，每股稅後純益 5.40 元。法人指出，第三季利基型 DRAM 與 SLC NAND 供不應求，價格上漲約 50%；NOR Flash 受雲端服務供應商積極備貨影響，季漲幅約 30%。雖然第四季記憶體價格預估收斂至 2‑5%，但預期因 DRAM 產能增加與出貨量成長，華邦電營收與獲利仍能維持季增走勢。未來擴產將覆蓋 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer‑on‑Wafer 及矽電容（Si‑Cap）等產品，並支援 14nm 及 12nm DRAM 製程，計畫導入 EUV 設備以備 AI 記憶體及先進封裝需求。

**市場觀點**
網友與投資人普遍看好 AI 需求帶動記憶體長期成長，對華邦電提前擴產表示肯定。法人認為此舉可為公司在記憶體與先進封裝領域奠定第三股成長動能，尤其是 Si‑Cap 在 AI 電源管理應用中的潛力。部分投資者則關注擴產成本與產能利用率，擔心短期內利潤壓力。整體市場情緒以「看好」為主，期待華邦電 2029 年起的產能投資能在 AI 需求高峰中快速回饋。

（來源：工商時報 李娟萍，2026/08/20）
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