三星將HBM產能推升至30%：AI熱潮擠壓傳統DRAM供應

【快訊重點】
三星電子執行副總裁金太友於9月29日透露，預計明年高帶寬記憶體（HBM）將佔全球DRAM晶圓總產能近30%，較目前約20%大幅提升。此一轉變由於人工智慧伺服器對高效能記憶體需求持續攀升，HBM供應已成為先進製程的競爭焦點，從而對傳統DRAM的產能配置構成壓力。

【核心分析】
HBM以多層堆疊設計提供更高帶寬與更低功耗，已被GPU、AI加速器與高效能運算系統廣泛採用。三星已於今年2月量產HBM4，並於5月向NVIDIA等客戶出貨12層HBM4E樣品，顯示其對HBM技術的快速擴張。市場研究機構TrendForce指出，AI伺服器需求持續推高HBM需求，供應仍受限於先進製程晶圓資源，預計2027年HBM價格平均將上漲121%。此外，GPU與ASIC廠商因成本考量，正在考慮採用8層HBM以降低單片成本；TrendForce預估2027年8層HBM每Gb價格將較12層產品高10%–20%。三星在HBM佔比上升的同時，亦有望因高階產品比重提升而進一步提升整體獲利表現。

【市場觀點】
網友與法人均認為，HBM持續吃緊先進製程產能，將強化記憶體供需格局與議價能力。許多分析師指出，三星在HBM領域的早期佈局與量產能力，將使其在未來高帶寬記憶體市場中佔據更有利位置。與此同時，傳統DRAM供應面臨的產能挤壓，可能推高價格與利差，進一步提升三星的毛利率。

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