** IBM 0.7奈米突破：3D堆疊架構預示晶片效能與能耗雙向進化 **

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**快訊重點**
IBM於6月25日正式公布其最新研究成果——Nanostack 3D電晶體架構，將邏輯製程推進至0.7奈米。該技術預估可在相同功耗下提升約50%效能，或在相同效能下降低約70%能耗，並於五年內向1奈米以下節點邁進。以指甲大小面積即可集成近千億電晶體，其密度約為IBM 2021年2奈米研究晶片的兩倍，顯示出顛覆傳統平面佈局的巨大潛力。

**核心分析**
Nanostack 將電晶體由傳統平面佈局轉向垂直3D堆疊，並結合異質材料以優化各層性能。此結構不僅提高了晶體密度，還能縮短訊號傳輸距離，進一步降低功耗與延遲。IBM 已完成超薄介電層鍵結、雙通道工程及 CMOS 反相器等實驗驗證，證明該架構具備可實際運作之能力。對於 AI 與高效能運算需求，Nanostack 能將 SRAM 記憶體單元面積縮小約40%，在相同晶片面積下提供更大的快取容量，對於大語言模型與生成式 AI 具備重要意義。
然而，將 Nanostack 進入量產仍需高數值孔徑極紫外光（High‑NA EUV）曝光技術的支援。IBM 正與 ASML、Lam Research、Tokyo Electron 及 SCREEN 等設備廠商合作，開發相關製程與設備。其研發中心亦已部署 High‑NA EUV 設備，為未來 1 奈米以下節點奠定基礎。

**市場觀點**
社群與市場分析師普遍將此技術視為終結水平微縮時代的關鍵轉折點。網友指出，3D 堆疊已成業界共識，且 3D 架構的創新將比單純節點縮小更為重要。法人投資者對 IBM 的研發動向保持關注，預期此突破將帶動晶片供應鏈相關廠商之技術升級與合作機會。值得注意的是，IBM 股價在盤前交易時上漲 1.84%，顯示投資者對此新聞的積極評價。市場仍需觀察高‑NA EUV 之成熟度與製造可行性，以評估 Nanostack 能否迅速轉化為商業化產品。

**相關連結**
https://tinyurl.com/ibm-0.7nm